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Memória NAND do iPhone 6s oferece desempenho de SSD ao superar UFS 2.0 da Samsung

Da Redação do site Tudocelular.com.br

No começo do ano Samsung anunciou a produção em massa da nova memória Ultra Flash Storage 2.0 que é três vezes mais rápida que a memória atual MMC. Atualmente a maioria dos smartphones usam este tipo de implementação que consiste em traços gerais num estilo de “cartão de memória” integrado dentro do próprio equipamento que tem as memórias flash, mas também o respectivo controlador.

Apesar do eMMC ser rápido, a Samsung quis dar um passo à frente e trazer com o Galaxy S6 uma nova experiência ao entregar um sistema muito mais rápido. De acordo com a empresa sul-coreana, a nova memória Ultra Flash Storage 2.0 permite que os dispositivos móveis iniciem mais rápido, gravem e leiam informações mais rapidamente, melhorem os processos de multitasking, etc. Para se ter uma ideia da rapidez, esta nova tecnologia tem um desempenho 28 vezes maior que os tradicionais cartões microSD.

Apple por outro lado decidiu apostar em algo diferente com o iPhone 6s, usando uma implementação de conexão PCIe e protocolo NVMe em vez de uma solução de armazenamento UFS ou eMMC. Em muitas maneiras, o que torna o armazenamento a bordo mais perto do SSD que você pode encontrar em um PC mais caro, mas devido a limitações de PCB você não vai necessariamente ver o enorme paralelismo que você poderia esperar de um verdadeiro SSD. Em termos de memória usada, o iPhone 6s em teste pelo site AnandTech trazia um módulo NAND produzido pela Hynix. O teste foi realizado com o aplicativos AndroBench 3.6, e você confere os resultados abaixo.

Leitura e escrita sequencial

Aqui vemos um desempenho impressionante. Ao trocar a conexão tradicional de memória e apostar em uma solução PCIe, os novos iPhones conseguem oferecer um desempenho digno de SSD, com média acima de 400 MB/s de leitura! A geração passada fica bem abaixo disso, com quase metade do desempenho. Os rivais com memória UFS e eMMC ficam em situação ainda mais inferior. O mesmo se repete no teste de escrita, onde vemos que ambos os modelos vão além de 160 MB/s! A geração passada oferece metade do desempenho de escrita, enquanto os rivais com memória UFS ou eMMC ficam abaixo de 50 MB/s.

Leitura e escrita aleatória

Aqui vemos que a solução da Apple não consegue ser tão eficiente quanto à memória UFS 2.0 da Samsung, pelo menos no Galaxy S6 e S6 Edge, já que o iPhone 6s Plus foi mais rápido que o Galaxy Note 5, por exemplo. De qualquer forma, em leitura aleatória a nova solução da Apple realmente mostra um desempenho excelente, exceto no iPhone 6s que oferecer o mesmo nível de leitura que a geração passada. Já em escrita aleatória, ambos os modelos superam com folga a geração passada, além do Galaxy Note 5, mas ficam abaixo do Galaxy S6. Curiosamente, o Galaxy Note 4 que não conta com memória UFS 2.0 obteve o melhor desempenho.

O que tudo isso significa na prática? Estas enormes melhorias de desempenho resultam de uma combinação de TLC NAND com um cache SLC, juntamente com o novo protocolo NVMe que permite a baixa sobrecarga da CPU e remove gargalos de arquitetura para desempenho de armazenamento. Isso deve permitir melhorar o desempenho como tirar fotos mais rápidas e realizar atualizações de aplicativos rapidamente. Baixando e atualizando aplicativos no iPhone 6s de forma mais eficiente do que no iPhone 6, na medida em que pequenas aplicações são instaladas quase que instantaneamente quando se está conectado em uma conexão Wi-Fi rápida o suficiente para saturar a largura de banda de armazenamento.

(atualizado em 03 de novembro de 2015, às 17:20)

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Fonte: Tudocelular.com.br
Notícia originalmente postada pelo site Tudo Celular.

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